說到硬碟技術的演進，自從東芝發表了 NAND（反及閘）的技術，20多年來，硬碟技術幾乎沒有重大突破。即使是目前的SSD硬碟，也是在東芝發表的NAND架構下，以增加記憶容量的表面積為主的技術。是在現有的記憶體架構下，朝容量更小、記憶單位更密集的狀況發展。並未有重大的記憶體架構的突破。
而今年由Intel 與 Micron 日前共同發表的新款記憶體 3D XPoint，則是一項新的記憶體的架構。可說是數十年來難得的突破
3D XPoint的效能，據說運算速度比現在使用的 PCIe∕NVMe 介面 NAND高一千倍，耐久性也高達千倍，逼近DRAM的資料處理速度。而儲存密度，更是動態隨機存取記憶體的 10 倍以上。
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3D XPoint 之所以會用3D命名，是因為它跟傳統的記憶體結構不同，具有立體感。傳統的記憶體架構都是單層的，而3D XPoint的內部儲存結構卻可分為 2 層。1 層是選擇器（ selector），另1 層則為實際儲存的 memory cell。2 層材料會以半導體製程來堆疊切割，形成 1 個上半部為 selector、下半部為 memory cell 的柱狀物。接著將一個又一個的柱狀體，以金屬導線用上下交錯方式連接，就形成 3D XPoint 的結構。理論上，此種結構可以直接堆疊，來增加儲存密度，這也是之所以命名為3D的原因。根據Intel的展示，目前製造出來的晶圓，使用了 2 層堆疊，每顆切下來的晶片，擁有 128Gb 的儲存容量。
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XPoint 唸起來聲音近似cross point，就有交錯的意味。3D XPoint最特別的地方是內部並不含電晶體。Intel 和 Micron並未透漏他們使用的製作材質，只知道是由半導體製程製造。
而資料儲存的核心部份memory cell，儲存資料的原理與現今記憶體不同。現在的記憶體是採用儲存電荷的方式，來記憶資料。而 memory cell 是將資料轉換成不同的特性，來記憶資料。所以記憶體本身不須製造困住電荷的結構，而是可以用整顆 memory cell 來儲存。少了電荷的這個關鍵，3D XPoint可以直接提升儲存的密度，而交錯的線路，更加速了存取的動作，延遲變得更少，也不用像快閃記憶體那樣，每個記憶單元需共享位址線，導致浪費。
由於3D XPoint 的特性，同時具備儲存資料的能力，又能夠替代一些動態隨機存取記憶體的角色，所以可以更快的處理大量資訊。如果技術上能夠克服，未來的電腦可能只需要3D XPoint硬碟，而不再需要插上動態隨機存取記憶體。
這可說是新一代的硬碟技術。但如何具體運用到硬碟的製造上，還得看明後年各大硬碟廠商，如何將這項技術商品化囉。
圖片出處 http://electronics360.globalspec.com/images/assets/535/5535/3D_XPoint_Die-fullsize.jpg
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