何謂NAND Flash
NAND是一種邏輯IC晶片的FLASH快閃記憶體的技術規格，相信很少人聽得懂這種說詞，這裡就從分類開始說明，快閃記憶體屬於非揮發性記憶體(NVRAM)的一種，因為不需要持續的充電來維持其中的資料（關閉電源後，裡面的資料不會流失），而成為新一代熱門的記憶體技術。而快閃記憶體主要分為NOR和NAND兩種，本篇將針對NAND技術規格做說明。
硬碟市場的運用、優點
NAND Flash(儲存型快閃記憶體)是Flash的一種技術規格，NAND架構的儲存容量比NOR Flash高，容量較大，改寫速度也較快。在壽命方面，NAND的最大擦寫次數也比NOR更佔優勢，NAND Flash現由於寫入速度快、高容量及單位價格下降等因素，已成為固態硬碟等儲存產品中的關鍵控制元件。
TOSHIBA 開創NAND架構
NAND是由日本儲存大廠東芝(TOSHIBA)在1989年所發展出來的架構，NAND Flash具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量數據的儲存。因而在業界引起變革，廣泛運用在生活科技用品上，像是數位相機、手機、MP3、筆電或是平板等3C產品的晶片。
未來趨勢
隨著行動裝置的普及和固態硬碟價格的下滑，智慧型手機、平板電腦的需求仍然強勁，依舊扮演NAND Flash產業成長的重要引擎。當中固態硬碟(SSD)因搭載在許多商務筆電上，以及資料中心伺服器對於SSD需求持續上升，這兩波動能將成NAND Flash最強勁的需求來源。目前NAND Flash的製程已逼近物理極限，特別是15/16奈米成為主流製程之後更遭遇瓶頸，2007年日本東芝TOSHIBA即在VLSI國際會議中發表了3D NAND的論文，文中利用堆疊來增加記憶體密度的觀點，而發展出全新的 3D NAND Flash技術結構，2016年將成為各大廠研發的重點。
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